CMSA010N04是Cmos自己研发的栅极多层分割槽工艺制造的一款分离半导体器件。
CMD079N10是采用Cmos半导体成熟工艺开发的一款综合性能优异的MOSFET,用在电源产品中的同步整流模块效果十分理想。
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。
CMP107N20是采用Cmos栅极多级分割优化沟槽工艺研发的N沟道金属氧化物半导体场效应管，设计理念追求高能效、绿色和可持续发展。
CMD170P03A是Cmos通过控制载流子沟道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用沟槽工艺制造而成的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
