CMN6385AM是由Cmos（广东场效应半导体有限公司）推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3LSMT封装，具备60V漏源耐压和3.5A连续漏极电流的承载能力。
CMN3J332AM作为一款深度优化的U—Trench工艺硅基P沟道MOSFET，凭借其超低导通电阻、2.5V低压栅极驱动能力和紧凑的SOT-23-3L封装，成为低电压电源管理应用中不可忽视的核心元件。
CMN3621M是广东场效应半导体公司（Cmos）制造的一款P沟道功率MOSFET，其以卓越的导通电阻特性和低压驱动能力，在电源管理开关应用中占据重要地位。
CMH90N30SD是广东场效应半导体（Cmos） 采用平面工艺设计生产的一款N沟道功率MOSFET，技术成熟，专为大功率开关应用而打造。
CMD90P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的封装工艺和技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
