CMD180P04 MOSFET是场效应半导体公司开发的一款效率极高的P沟道场效应晶体管。
CMSA055DN06AU采用紧凑型DFN-8 5*6封装，特点是体积小而薄，集成度高，且不失良好的散热性，极大地缩减制板成本，应用此类封装将会很可观的实现降本增效。
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是场效应半导体采用新的沟槽设计理念
CMSA085DN06AU是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术，具有非常出色的RDS（ON）。
CMSL107N20是一款N型场效应功率管，采用Cmos先进的栅裂工艺研发，优秀的高频特性、低导通内阻以及理想的散热性使其具有非常广泛的应用场景
