CMB6006是由广东场效应半导体（Cmos）采用 SGT工艺制造的硅 P-型 MOSFET，最大的优势就是SGT工艺的高频特性、低阻抗特性以及外延层高温稳定性。
CMD50P03 的功率器件，凭借其极低的导通电阻、无需电荷泵的独特优势以及卓越的汽车级可靠性，正在重新定义30V电压等级下的电源管理和电机控制方案。
CMD85P04专为简化高边驱动设计而优化，无需复杂的充电泵电路，为工程师提供了高性能的解决方案 。
Cmos推出的旗舰产品CMD150P03，以其 -30V耐压、-120A连续漏极电流、以及领先的6.5mΩ超低导通电阻（RDS(on)），为高密度、高效率功率解决方案树立全新标杆。
选择CMD016N04 MOSFET，不仅仅是选择一个元件，更是选择了高效率、高功率密度的系统解决方案。
