CMD20P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMHG65R048碳化硅功率MOSFET器件，采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
场效应半导体Cmos推出的 CMB170P03A 是一款-30V P沟道MOSFET，它凭借卓越的性能，已成为众多电源管理、电机驱动和功率开关应用中的理想解决方案。
CMB40N25P 作为一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，凭借其低导通阻抗、高开关速度与卓越的雪崩耐量，成为众多中高功率应用的理想选择。
CMB50N20，一款旨在挑战效率极限的200V N沟道功率DMOS。
