CMN1029M 是一款 P沟道增强型功率MOSFET,-100V耐压、-1.5A电流能力配合 SOT-23-3L 封装,适合空间受限的电源管理场景。
IRF9Z24 是一款采用 TO-220 封装的高压 P 沟道功率 MOSFET。它在电子设计领域具有极高的通用性。
CME5P10 P沟道MOSFET,凭借其均衡的电压电流能力、显著的低导通电阻特性以及PMOS固有的高边开关便利性,在现代电子系统中扮演着至关重要的角色。