CMF65R380在低电磁干扰（EMI）和低开关损耗方面具有显著优势，非常适合各类开关切换模式电源、适配器电源、PFC电源等。
CMSA50NP06专为同步整流、电机驱动、电源转换等需要高效互补开关的应用场景而优化设计。
CMD085N04是Cmos推出的40V N沟道功率MOSFET，采用先进的低压沟槽分裂栅MOS技术，专为高效率、高密度功率转换应用而设计。
CMF60R078是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos），先进超结技术的功率MOSFET，具有极低的导通电阻和栅极电荷。
CMB5970是一款采用TO-263封装的P沟道功率MOSFET，其-150V的额定漏源电压(VDSS)和-30A的连续漏极电流(ID)参数，标志着它在高功率控制领域占据着独特而关键的技术地位。
