CMH90N30SD是广东场效应半导体（Cmos） 采用平面工艺设计生产的一款N沟道功率MOSFET，技术成熟，专为大功率开关应用而打造。
CMD90P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的封装工艺和技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMF60R180S6ZD 不仅是一颗晶体管，更是为工程师提供的一套“效率与易用性”的完整解决方案。
CMH50N60代表了平面高压功率半导体技术的重大进步。它通过创新的芯片设计与封装技术，为高效、高功率密度、高可靠性的现代电力电子系统提供了核心解决方案。
CMSC019N03LS凭借其超低的导通电阻 Rds(on) 和优化的栅极电荷，在小型化的封装中树立了低压直流转换的效率标杆，成为高功率密度电源设计的理想选择 。
