CMSC1653是一款采用场效应半导体先进沟槽工艺开发的N沟道型MOSFET产品,其最大特点是具有卓越的优值系数(FOM)。
CMH50N20是采用广东场效应半导体有限公司(Cmos)先进的平面条纹DMOS技术和设计,提供优秀的RDS(ON),抗冲击能力强,广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。
CMSA010N04是Cmos自己研发的栅极多层分割槽工艺制造的一款分离半导体器件。
CMD079N10是采用Cmos半导体成熟工艺开发的一款综合性能优异的MOSFET,用在电源产品中的同步整流模块效果十分理想。
CMD65R380Q功率MOSFET,使用Cmos先进的超结技术,提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。