CMSA037N03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMSA028N03是广东场效应半导体（Cmos）推出的N沟道功率MOSFET，采用DFN-8 5*6（5.05×6.15mm）紧凑封装，专为低压高电流应用场景而设计。
CMS6679S是广东场效应半导体（Cmos）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8表面贴装封装，体积小巧、布局灵活。
CMSA65R380Q是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的多层外延芯片技术，提供卓越的导通电阻（RDS on）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMS4435 凭借其 -30V耐压、毫欧级内阻、P沟道逻辑友好的特性，成为了电子工程师工具箱中解决高边开关问题的“瑞士军刀”。
