选择场效应半导体CMF65R080SDMOSFET，您将获得提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的关键利器。
CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。
CMSA010N04AU是场效应半导体（Cmos）一款高性能N沟道MOSFET，专为低压、大电流应用场景优化。
CMH80P10 MOSFET是场效应半导体（Cmos）开发的一款P沟道金属氧化物半导体元器件，其卓越的电气性能和可靠性，成为中低压、大电流场景下的核心器件。
CMP200N25 MOSFET以其“高能效、高功率密度、高可靠性”的三重优势，成为工业电源、新能源汽车及消费类电子邻域的理想选择。
