专为严苛工况设计的CMP250N03MOSFET系列,正是您突破设计瓶颈、实现性能飞跃的理想解决方案!
CMH65R080SD MOSFET是采用场效应半导体先进的设计方案与封装工艺打造的一款超结工艺场效应晶体管。
CMP079N10 N沟道MOSFET,重塑高密度电源设计
传统MOSFET的瓶颈限制了您的设计潜力?是时候拥抱革新了!我们重磅推出采用先进超级结工艺的CMF65R360D MOSFET,为您带来颠覆性的性能飞跃!
CMH50N30是采用广东场效应半导体有限公司(Cmos)先进的平面条纹DMOS技术和设计,提供优秀的RDS(ON),抗冲击能力强,广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。