CMP079N10 N沟道MOSFET，重塑高密度电源设计
传统MOSFET的瓶颈限制了您的设计潜力？是时候拥抱革新了！我们重磅推出采用先进超级结工艺的CMF65R360D MOSFET，为您带来颠覆性的性能飞跃！
CMH50N30是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON），抗冲击能力强，广泛应用于逆变器电源和SMPS电源、UPS电源、电机驱动等电路中。
选择场效应半导体CMF65R080SDMOSFET，您将获得提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的关键利器。
CMF65R190SD是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET。它不仅具备快速开关的超结MOSFET的所有优点，还提供了一个快恢复的体二极管。
