广东场效应半导体(简称Cmos)的CMSL008N06N沟道功率MOSFET，正是为要求严苛的低压、大电流应用而生！
CMB180N04-7是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的工艺和技术，是专为高电流开关应用而设计的N通道MOS场效应晶体管。
CMSC055N06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术设计生产，具有非常卓越的RDS（ON）。
CMB180P04G是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，提供非常优秀的RDS（ON），非常适用于先进的高效开关应用，广泛应用于负载开关、电池保护电路、LED控制、电机控制等。
CMP073N15集合了低导通电阻、高耐压、低开关损耗 等多项特点，成为各种高效能电源系统和高功率应用的理想选择。
