CMF85R290R是采用Cmos先进超级结技术的功率MOSFET,实现非常低的导通电阻和栅极电荷,通过使用优化的电荷耦合技术,提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET,采用Cmos的专有平面条形DMOS技术,改进了dv/dt能力,非常适合用于高效开关电源。
CMF10N80是一款综合性能优秀的N沟道高压功率MOSFET,采用Cmos先进的平面工艺制造,其核心优势是抗冲击性高、高频特性好、不可控造因素成的特性离散性小等优势,适用于开关电源(SMPS)、电机驱动、逆变储能及工业电磁阀小信号类应用等场景。
CMSA070N10是一款高性能N沟道功率场效应管(MOSFET),采用Cmos先进的SGT工艺制成,具有高频特性好,转换效率高的特点。
CMP107N20是采用广东场效应半导体有限公司(Cmos)先进的SGT技术工艺生产,具有优秀的导通电阻RDS(ON),是高频开关和同步整流的理想MOS,也非常适合用于电机驱动控制、电池管理、不间断电源、逆变器电源等等。