CMP50N20是一款200V平面工艺N沟槽场效应管，这种工艺典型特点是抗冲击能力强和参数一致性表现好。
CMH25N50是使用Cmos先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供优良的RDS（ON）,非常适合于高效的切换模式电源和主动功率因数校正。可用于SMPS开关电源、UPS电源，非常适用于逆变器电源，有优秀的散热能力，很好的性价比。
CMH90N30采用Cmos先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON）。非常适合于高效的切换模式电源和主动功率因数校正。
CMH20N50采用Cmos先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON）。非常适合于高效的切换模式电源和主动功率因数校正。可用于开关电源、UPS电源、DC-DC转化电源，特别适用于逆变器电源，有优秀的散热能力，很好的性价比。
CMP13N50T/CMF13N50T采用先进的高压MOSFET技术生产，这种先进技术能提供优秀的RDS（ON）、优越的开关性能、并能承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
