CMD160N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMB5950A是一款采用沟槽工艺研发的P沟道增强型功率MOSFET，专为高压、大电流开关应用而设计。
CMB180P04A —— 一款专为高功率环境优化的-40V、-100A P沟道功率MOSFET
CMD30P10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMD20P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
