CMS8125B是一款基于Trench工艺制造的P沟道增强型MOSFET，采用SOP8表面贴装封装，专为电源管理、功率开关及负载控制等应用场景设计。
CMS6679S是广东场效应半导体（Cmos）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8表面贴装封装，体积小巧、布局灵活。
CMSA65R380Q是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的多层外延芯片技术，提供卓越的导通电阻（RDS on）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMSC90P03是广东场效应半导体有限公司（Cmos），将先进的沟槽型MOSFET技术与低电阻封装相结合，实现了极低的RDS（ON），同时最大限度降低功耗与散热。
CMS4953BDY 是一款由广东场效应半导体（Cmos）推出的双P沟道增强型功率MOSFET，采用标准的SOP-8表面贴装封装。
