CMH30R019SD是一款300V 的N沟道功率 超结MOSFET，它以超结工艺的典型特点，低导通电阻、高开关频率，高功率密度以及宽安全工作区，帮助您轻松应对各类严苛的功率转换挑战。
CMSV60R180S6ZD集成先进的超结技术，并采用先进的 DFN-8 8×8无引脚封装，为硬开关和软开关拓扑带来前所未有的性能平衡，助力工程师打造更小、更冷、更可靠的高频电源方案。
广东场效应半导体（简称Cmos）生产的屏蔽栅沟槽工艺系列中的CMSL008N03L，以0.8mΩ的极低电阻和逻辑电平兼容特性，为尖端应用量身打造功率核心。
广东场效应半导体有限公司（简称Cmos）推出的CMSL007N04A 以单管400A的强悍载流能力、低至1mΩ (max) 的导通电阻，为您带来化繁为简的颠覆性设计体验。
CMSC7423B 将 -20V 耐压、逻辑电平驱动能力和超小封装巧妙融合，不仅简化了电路设计，更从空间、功耗、成本三方面赋予产品竞争力。
