CMSA180P03是P沟道增强型功率场效应晶体管，采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）。
CMD060N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供优秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常适合用于DC-DC电源、电源切换应用，开关控制，电机控制、LED控制等多种应用。
CMD840 MOS是一款采用平面工艺设计的高压小电流FET，作为电子工程师我们都知道，平面工艺FET很多电性特征参数都与内部晶片大小息息相关。
CMF65R140是Cmos推出新一代650V功率超结MOSFET，可用于数据中心服务器电源、太阳能（PV）功率调节器、不间断电源系统（UPS）和其他工业应用。
CMSC012N06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，采用DFN-8 3.3x3.3封装，能够减小PCB板尺寸和提高空间利用率，是紧凑型DC-DC电源、高能效电源、同步整流电源的优选MOS。
