CMP030N12 是场效应半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用先进的SGT技术，在实际应用中，实现了极低的导通电阻和优异的开关性能。
CMSA018DN10是构建紧凑、高效、可靠的中功率系统的得力伙伴。它通过集成化设计简化了电路，凭借卓越的电气和热性能提升了系统能效。
CMSA011N03超低内阻MOSFET应用解决方案
CMSC3812是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款双N沟道低压增强型场效应管,具有30V漏源电压（VDS）,常温条件下20A漏极电流（ID）,具备能瞬间抵抗高达80A的高脉冲电流冲击性。
CMD65P02是采用Cmos先进沟槽工艺开发的一款P沟道低压增强型场效应管,具有-20V漏源电压（VDS）和-65A漏极电流（ID）（常温条件）,具有抵抗高达-260A的脉冲电流的高性能抗冲击性。
