CMD609A 是Cmos（广东场效应半导体）推出的一款N+P 双芯片MOSFET，采用先进沟槽（Trench）工艺，封装为 TO-252-4L（D-PAK），两颗管芯漏极共片，非常适合半桥/H 桥拓扑。
CMD052N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT制造工艺与设计，可实现优异的 RDS(ON) 值。
2SK2313L是一款采用先进平面工艺制造的低压MOSFET，其特点具有传统平面结构的优势，相对Trench结构，具有更大Die尺寸，功率密度相对低，优异的散热性，高雪崩能量以及良好的线性工作特点等优势。
CMS50P03B 是一款采用沟槽栅（Trench）工艺的 P 沟道功率 MOSFET，主要面向高边开关与电源管理应用，以"驱动简单、导通损耗低"为核心优势。
CMSA63P04采用先进的沟槽（Trench）MOSFET技术与低热阻 DFN-8(5×6) 贴片封装相结合，专为高电流、低损耗的电源管理应用而设计。
