CMP120P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CME5P10 P沟道MOSFET，凭借其均衡的电压电流能力、显著的低导通电阻特性以及PMOS固有的高边开关便利性，在现代电子系统中扮演着至关重要的角色。
CMP150P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
Cmos的旗舰产品CMD180P03，以其 -30V耐压、-150A电流和2.8mΩ超低导通电阻，为高密度、高效率功率解决方案树立新标杆。
CMP90P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
