CMD50P03A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的高单元密度沟槽工艺，可实现低导通电阻（RDS on），同时最大限度降低功耗与散热。
CMF60R180S6ZD 不仅是一颗晶体管，更是为工程师提供的一套“效率与易用性”的完整解决方案。
CMU4435是一款P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，以低导通电阻和低栅极电荷为特点，适用于负载开关和PWM应用。
IRF9Z24 是一款采用 TO-220 封装的高压 P 沟道功率 MOSFET。它在电子设计领域具有极高的通用性。
CMH50N60代表了平面高压功率半导体技术的重大进步。它通过创新的芯片设计与封装技术，为高效、高功率密度、高可靠性的现代电力电子系统提供了核心解决方案。
