CMSC3606 MOSFET以N+P “双管合一”的集成方式，为紧凑型大电流设计带来全新的解题思路。
CMSC075N04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供卓越的RDS（ON）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMSC3007B 将 -30V 耐压、逻辑电平驱动能力和超小封装有机融合，不仅简化了电路设计，更从空间、功耗、成本三方面赋予产品澎湃竞争力。
CMSC044N03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供卓越的RDS（ON）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMSC040N04L 是广东场效应半导体（Cmos）推出的40V N沟道功率 MOSFET，专为高频、高效、空间受限的功率变换系统而生。
