CMP80P10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMH44N50SD以其高压、大电流、超低导通电阻的黄金组合，为工程师提供了突破传统功率密度和效率瓶颈的强大工具。
CMP120P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CME5P10 P沟道MOSFET，凭借其均衡的电压电流能力、显著的低导通电阻特性以及PMOS固有的高边开关便利性，在现代电子系统中扮演着至关重要的角色。
CMP150P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
