CMS6679S是广东场效应半导体（Cmos）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8表面贴装封装，体积小巧、布局灵活。
CMSA65R380Q是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的多层外延芯片技术，提供卓越的导通电阻（RDS on）性能，同时最大限度降低功耗与散热。
CMSC90P03是广东场效应半导体有限公司（Cmos），将先进的沟槽型MOSFET技术与低电阻封装相结合，实现了极低的RDS（ON），同时最大限度降低功耗与散热。
CMS4953BDY 是一款由广东场效应半导体（Cmos）推出的双P沟道增强型功率MOSFET，采用标准的SOP-8表面贴装封装。
CMS4576是一款由广东场效应半导体有限公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的屏蔽栅沟槽SGT工艺技术制造，旨在为低压大电流应用场景提供极低的导通特征电阻和高效的开关性能。
