CMSA80P06A P沟道增强型场效应晶体管，是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMD75P02是一款采用先进沟槽工艺制造的高性能、低导通电阻P沟道功率MOSFET。
CMD078N03 MOSFET不仅是元件选择，更是设计理念的革新——以更少的能量损耗，实现更强的性能输出。
CMD042N04采用先进屏蔽删沟槽工艺技术的40V N沟道增强型MOSFET，专为应对严苛的现代功率应用挑战而设计。
场效应半导体推出CMD03N03 MOSFET的旗舰级功率MOSFET，它不仅是参数的表率，更是攻克低压大电流应用挑战的终极解决方案。
