CMSC6683凭借其低的导通电阻和高电流承载能力，是低压大电流高压侧开关应用的理想选择。
CMSC019N03LS凭借其超低的导通电阻 Rds(on) 和优化的栅极电荷，在小型化的封装中树立了低压直流转换的效率标杆，成为高功率密度电源设计的理想选择 。
CMP052N04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMD85P04专为简化高边驱动设计而优化，无需复杂的充电泵电路，为工程师提供了高性能的解决方案 。
CMP029N03A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
