CMP5940B是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMD046N04 凭借其低导通电阻、快速开关特性及坚固的可靠性，它已成为现代高效能电源管理、电机驱动及负载开关应用中的核心组件。
CMD30P03 PMOSFET在高端开关、同步整流和电机驱动等对效率要求苛刻的应用中具有不可替代的价值。
CMD40NP06 N+P MOSFET 不仅仅是一对晶体管，更是为优化复杂电路拓扑而生的性能引擎。
Cmos推出的旗舰产品CMD150P03，以其 -30V耐压、-120A连续漏极电流、以及领先的6.5mΩ超低导通电阻（RDS(on)），为高密度、高效率功率解决方案树立全新标杆。
