CMB40N25P 作为一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，凭借其低导通阻抗、高开关速度与卓越的雪崩耐量，成为众多中高功率应用的理想选择。
CMB50N20，一款旨在挑战效率极限的200V N沟道功率DMOS。
CMB250N03 — 以毫欧之微，驭百安之势。
CMB20P09作为一款由Cmos(场效应半导体)推出的P-Channel功率MOSFET，凭借其优异的电气特性、良好的散热性和稳健的性能，已成为众多中低压、大电流应用场景中的理想选择。
CMB110P06 作为一款性能卓越的P沟道增强型MOSFET，以其低导通电阻、高切换速度和高可靠性，成为低压大电流开关应用的理想解决方案。
