CMD042N04采用先进屏蔽删沟槽工艺技术的40V N沟道增强型MOSFET，专为应对严苛的现代功率应用挑战而设计。
场效应半导体推出CMD03N03 MOSFET的旗舰级功率MOSFET，它不仅是参数的表率，更是攻克低压大电流应用挑战的终极解决方案。
CMF65R380在低电磁干扰（EMI）和低开关损耗方面具有显著优势，非常适合各类开关切换模式电源、适配器电源、PFC电源等。
选择CMD016N04 MOSFET，不仅仅是选择一个元件，更是选择了高效率、高功率密度的系统解决方案。
CMSA50NP06专为同步整流、电机驱动、电源转换等需要高效互补开关的应用场景而优化设计。
