CMP32N30P是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的专有平面条带 DMOS 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMP45N30P是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的专有平面条带 DMOS 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CME6P03A是一款先进的P沟道增强型功率MOSFET，采用最新的半导体工艺技术制造，专为高效率、高可靠性和高频率的功率转换应用而设计。
CMP80P10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMH44N50SD以其高压、大电流、超低导通电阻的黄金组合，为工程师提供了突破传统功率密度和效率瓶颈的强大工具。
