专为严苛工况设计的CMP250N03MOSFET系列，正是您突破设计瓶颈、实现性能飞跃的理想解决方案！
场效应半导体超结系列的代表产品——CMH65R035SD，正是一款专为挑战极限而生的650V超级结MOSFET，为您的下一代高效电源系统提供强大助力。
CMH65R080SD MOSFET是采用场效应半导体先进的设计方案与封装工艺打造的一款超结工艺场效应晶体管。
CMH40N120T2是采用广东场效应半导体先进工艺开发的一款沟槽栅-场截止型功率器件（IGBT）
CMD028N03 是一款高性能N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，具备30V漏源电压（Vds）和150A连续漏极电流（Id）能力。
