CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。
CMP107N20是采用Cmos栅极多级分割优化沟槽工艺研发的N沟道金属氧化物半导体场效应管，设计理念追求高能效、绿色和可持续发展。
CMD170P03A是Cmos通过控制载流子沟道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用沟槽工艺制造而成的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
CMD065N04 Cmos为电源DC-DC模块开发的一款物料，得益于Cmos对于半导体先进制造工艺的研究和创新，这款物料具有多项优秀的参数，整体性能卓越。
在户外UPS电源供电设备中，低功耗尤为重要。CMH029N10以低饱和导通电阻（RDSON仅为2.4mΩ）实现了极低的功耗，使其在待机状态时有效降低电池电能损耗。
