CMD20P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMB50P06是一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型MOSFET，设计用于高效率的功率开关和线性放大应用。
CMD019N04L是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺和技术，具有卓越的RDS（ON）性能。
CMHG65R048碳化硅功率MOSFET器件，采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的碳化硅MOSFET技术开发而成。
场效应半导体Cmos推出的 CMB170P03A 是一款-30V P沟道MOSFET，它凭借卓越的性能，已成为众多电源管理、电机驱动和功率开关应用中的理想解决方案。
