CMP029N03A是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMP048N04是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMD50P06 采用先进的沟槽工艺技术，旨在最大限度地降低导通损耗，特别适用于对效率有严苛要求的现代电子系统。
CMP32N30P是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的专有平面条带 DMOS 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMP45N30P是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的专有平面条带 DMOS 技术制造，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
