CMSA50NP06专为同步整流、电机驱动、电源转换等需要高效互补开关的应用场景而优化设计。
CMD085N04是Cmos推出的40V N沟道功率MOSFET，采用先进的低压沟槽分裂栅MOS技术，专为高效率、高密度功率转换应用而设计。
CMF60R078是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos），先进超结技术的功率MOSFET，具有极低的导通电阻和栅极电荷。
CMD80P06A不仅仅是一个功率开关元件，更是优化系统能效、可靠性和功率密度的关键引擎。
CMB70P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
