优秀电源MOS：CMF60R078
CMF60R078是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos），先进超结技术的功率MOSFET，具有极低的导通电阻和栅极电荷。其栅极电荷低且体二极管超快，从而显著提升了关断速度。CMF60R078在软开关应用中表现出色，具有优异的效率和电磁干扰（EMI）性能。非常适合各类开关切换模式电源，包括不限于DC-DC转换器、适配器电源、PFC等。
卓越的电气特性
CMF60R078的主要电气特性包括：
耐压能力：CMF60R078的耐压（BVDSS）为600V。
电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）为50A。
雪崩能量：CMF60R078采用Cmos先进的超结技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为600mJ。
低EMI：CMF60R078采用Cmos先进的超结技术，应用时具有低EMI、易通过EMC测试的特点。
低热阻：CMF60R078采用TO-220F封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为3.13℃/W，有良好的散热能力。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMF60R078的导通电阻（RDS(on)）最大为70mΩ。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，提高电路的能效，使得在开关电源电路应用中效率更高。
低开关损耗：低QG、较小的CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。
适用范围广泛
CMF60R078 由于其优异的特性，适用于多种开关切换电源，包括不限于DC-DC转换器、适配器电源、PFC等。MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。
通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMF60R078中，使其成为各种开关切换类电源应用中表现优秀的MOS。
