CMD028N03 是一款高性能N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，具备30V漏源电压（Vds）和150A连续漏极电流（Id）能力。
CMP079N10 N沟道MOSFET，重塑高密度电源设计
CMD180P04 MOSFET是场效应半导体公司开发的一款效率极高的P沟道场效应晶体管。
CMSA055DN06AU采用紧凑型DFN-8 5*6封装，特点是体积小而薄，集成度高，且不失良好的散热性，极大地缩减制板成本，应用此类封装将会很可观的实现降本增效。
传统MOSFET的瓶颈限制了您的设计潜力？是时候拥抱革新了！我们重磅推出采用先进超级结工艺的CMF65R360D MOSFET，为您带来颠覆性的性能飞跃！
