高频开关MOS：CMD160N10

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CMD160N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。该器件适用于消费电子、电信、工业电源及LED背光的升压转换器和同步整流器、高频切换开关等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。

CMD160N10的主要电气特性包括： 

耐压能力：CMD160N10的耐压（BVDSS）为100V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是55A。

雪崩能量：CMD160N10采用Cmos先进的技术和设计，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为30mJ。

低热阻：CMD160N10采用TO-252封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为1.25℃/W。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMD160N10的导通电阻（RDS(on)）最大只有16mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效，在产品应用中更高效。

低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。

CMD160N10 由于其优异的特性，适用于多种应用电路，包括不限于消费电子、电信、工业电源及LED背光的升压转换器和同步整流器、高频切换开关等。

MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMD160N10中，使其在电路应用中表现出色，能够在各种高应力环境下稳定工作。