CMP120P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMP150P03是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMP90P06是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性和低栅极电荷。
CMP5940B是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽工艺技术和设计，具有优秀的RDS（ON）特性。
CMD40NP06 N+P MOSFET 不仅仅是一对晶体管，更是为优化复杂电路拓扑而生的性能引擎。
