CMB50P06是一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型MOSFET，设计用于高效率的功率开关和线性放大应用。
CMD019N04L是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺和技术，具有卓越的RDS（ON）性能。
P3004ND5G MOSFET采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术，具有优异的导通电阻RDS（on）和低栅极电荷。
CMB250N03 — 以毫欧之微，驭百安之势。
CMB20P09作为一款由Cmos(场效应半导体)推出的P-Channel功率MOSFET，凭借其优异的电气特性、良好的散热性和稳健的性能，已成为众多中低压、大电流应用场景中的理想选择。
