Cmos推出的旗舰产品CMD150P03，以其 -30V耐压、-120A连续漏极电流、以及领先的6.5mΩ超低导通电阻（RDS(on)），为高密度、高效率功率解决方案树立全新标杆。
选择CMD016N04 MOSFET，不仅仅是选择一个元件，更是选择了高效率、高功率密度的系统解决方案。
CMHG65R027是一款采用 TO-247和TO-3P 封装的SiC MOSFET。它不仅仅是传统硅基超结MOSFET的替代品，更是一个能够解锁系统性能新高度的关键器件。
本文聚焦于性能卓越的CMF65R170DT的超结MOSFET。它不仅是元器件，更是您设计下一代高效、紧凑、可靠电源系统的核心引擎。
CMD180P04 MOSFET是场效应半导体公司开发的一款效率极高的P沟道场效应晶体管。
