同步整流MOS：CMD600N20
CMD600N20是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术，该技术经过专门优化，可实现最高效的高频开关性能，以及极低的RDS(ON)、Ciss与Coss组合值，该器件可将导通与开关损耗均降至最低。此器件适用于多种应用电路，包括不限于高频开关应用以及同步整流器等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。
卓越的电气特性
CMD600N20的主要电气特性包括：
耐压能力：CMD600N20的耐压（BVDSS）为200V。
电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是35A。
雪崩能量：CMD600N20采用Cmos先进的SGT工艺技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为250mJ。
低热阻：CMD600N20采用TO-252封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.83℃/W。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMD600N20的导通电阻（RDS(on)）最大只有60mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效，在产品应用中更高效。
低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。
适用范围广泛
CMD600N20由于其优异的特性，此器件适用于多种应用电路，包括不限于高频开关应用以及同步整流器等。
MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMD600N20中，使其在电路应用中表现出色，能够在各种高应力环境下稳定工作。
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