革新能效边界，驱动功率未来
—— CMP079N10 N沟道MOSFET，重塑高密度电源设计
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一、封装形式
图为CMP079N10的封装形式和内部拓扑，采用TO-220、TO-263、TO-262、TO-220F四种标准封装，特点是具有优秀的热阻值，性价比极高。应用该物料将会给你的方案BOM降本增效。
二、基础参数
关键规格：
击穿电压等级：100V
持续漏电流：ID=90A
通态阻抗：7.7毫欧（最大值,@VGS=10V）
超低栅极电荷：Qg=41nC，Qgd=7.5nC
三、核心优势
为何选择CMP079N10？
极致效率，损耗锐减
1．7.7mΩ超低RDS(on)：显著降低导通损耗，进一步提升系统能效，尤其适合48V输入级应用。
2．优化开关特性：低Qg/Qgd设计缩短开关时间，降低高频开关损耗，助力100kHz以上拓扑轻松实现。
3．90A持续电流能力：紧凑TO-220封装支持高电流输出，减少并联需求，大幅简化PCB布局。
4．优异热性能：低热阻（RthJC=0.76℃/W）确保高温环境稳定运行，散热设计更灵活。
5．100%雪崩测试：通过IATF16949车规器件环境质量认证，耐受高能浪涌冲击，保障系统鲁棒性。
四、应用推荐
目标应用场景
1.通信/服务器电源POE
48V→12V/5V DC-DC砖块电源
冗余电源模块（N+1架构）
价值点：高效率，满足80 PLUS Titanium要求，降低数据中心能耗。
2.工业电源模块
工业变频器辅助电源
机器人驱动电源
价值点：低热阻设计延长寿命，抗振动封装适应恶劣环境。
3.新能源与汽车电子
车载充电机（OBC）DC-DC级
电池管理系统（BMS）主开关
价值点：IATF16949车规级可靠性，兼容12V/24V电池系统。
4.高端消费类电源
游戏PC VRM供电
4K投影仪高效电源
价值点：低EMI特性简化滤波设计，提升终端产品静音表现。
立即行动，赋能下一代电源！
选择CMP079N10，不仅是选择一颗MOSFET，更是选择：更高效率、更小体积、更强可靠性的系统级解决方案。
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（注：实际应用中请以场效应半导体官方数据手册为准，并结合具体工况验证设计。）
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