CMH65R080SD：650V/80mΩ超结MOSFET
—— 赋能高效高密度电源设计
CMH65R080SD MOSFET是采用场效应半导体先进的设计方案与封装工艺打造的一款超结工艺场效应晶体管。其特点是具有高功率密度，低导通阻抗，高频率开关速度和优秀的散热性，已成为开关电源，逆变设备，太阳能充电，变频器等多相电机控制设备的理想选择。
一、封装形式
图示为CMH65R080SD MOSFET的封装形式与芯片内部拓扑图，现提供TO-247封装形式，具备优秀的热设计。
二、核心优势
1. 极优FOM（品质因数）：
Rds(on) = 80mΩ（@Vgs=10V）与栅极电荷Qg=84nC完美平衡，显著降低导通/开关损耗，大幅提升电能转换效率。
2. 650V耐压平台：
强化雪崩耐受能力（EAS=3840mJ），应对工业电网波动与感性负载冲击更可靠。
3. 优化寄生参数：
低至7pF 的米勒电容（Crss）有效抑制漏极高dv/dt串扰，提升器件关闭时的安全性。
4. 增强热性能：
TO-247封装配合低热阻（RthJC=0.27℃/W），支持高功率高占空比输出。
三、应用推荐
1. 工业SMPS（开关电源）
适用拓扑：LLC谐振变换器、PFC+双管正激
设计价值：
在100kHz~200kHz高频段，助力80Plus钛金认证电源实现>96%整机效率。
2. 光伏/储能系统
关键应用：组串式逆变器DC-DC升压级、储能双向DC-AC模块
优势体现：
650V耐压完美适配1000V光伏组串电压（余量≥30%），体二极管快恢复特性（trr<113ns）提升桥式整流拓扑设备的可靠性。
3. EV充电桩模块
方案定位：30kW+液冷超充模块主功率开关
高密度设计：
并联使用支持>25A管持续电流（Tc=100℃），配合驱动IC实现更高功率密度。
四、设计指南
1. 驱动优化：
推荐驱动电压Vgs=12V±10%，驱动电阻Rg=4.7Ω~10Ω避免过冲同时抑制振荡。
警示：Vgs<8V将导致Rds(on)陡增，开关类场景中禁用线性区工作！
2. 散热设计黄金法则：
结温估算公式：Tj = Tc + (RthJC × P_loss)
其中 P_loss = （I_rms）² × Rds(on)@Tj + (E_sw ×f_sw)
建议：强制风冷下保持Tc<110℃，预留20℃余量以应对热失控风险。
3. EMI抑制技巧：
源极串接≤10nH功率电感优化di/dt路径
门极增加1-2nF电容延缓开通速度（牺牲微小开关效率换取EMI余量）
4. 浪涌、尖峰吸收
母线并联≥2μF电容吸收关断浪涌
布局时优先采用开尔文源极连接
禁忌：
避免Vds>550V时连续硬开关（需软切换或箝位电路）
禁用二极管反向恢复测试（易引发雪崩失效）
五．立即选用CMH65R080SD
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（注：实际设计前请查阅官方Datasheet，确认参数边界及测试条件）
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