释放效率潜能，赋能高密度设计 —— CMH65R035SD MOSFET
在追求更高效率、更高功率密度和更可靠性的电力电子设计前沿，选择合适的功率开关器件至关重要。场效应半导体超结系列的代表产品——CMH65R035SD，正是一款专为挑战极限而生的650V超级结MOSFET，为您的下一代高效电源系统提供强大助力。
一、核心优势
1. 极致的导通损耗：
Rds(on)=35mΩ (@Vgs=10V)的超低导通电阻，显著降低导通状态下的功率损耗，尤其在大电流应用中效果显著，直接提升系统整体效率。
2. 出色的开关性能：
优化的栅极电荷Qg和极间电容特性Ciss, Coss, Crss，实现更快、更干净的开关切换。
降低开关损耗，提升工作频率潜力，助力实现更小型化的磁性元件设计。
优异的 dv/dt 和 di/dt 能力，增强系统开关瞬态的稳定性。
3. 低热阻封装：
CMH65R035SD采用创新的 TO-247-3封装。该封装具有：
卓越散热：底部大尺寸裸露金属焊盘 (Drain Pad) 提供极低的热阻 (`Rth(jc)`)，便于热量高效传导至PCB铜层，显著提升散热能力。
4. 高可靠性：
符合工业级标准，提供坚固耐用性和长寿命保障。
宽广的安全工作区 (SOA)，确保在各种工作条件下的稳定运行。
二、推荐应用
CMH65R035SD凭借其极低损耗、优异开关特性、卓越的散热性和密度优势，是以下高要求应用的理想选择：
1. 服务器/数据中心电源 (SMPS)：
PFC (功率因数校正)升压级：低Rds(on)和低Qg有效降低导通和开关损耗，是80 PLUS Titanium等超高效率标准的强有力保障。
LLC谐振转换器 / DC-DC BOOST同步整流：快速开关特性和低导通电阻是实现高效率、高功率密度次级侧整流的优选。
2. 工业电源：
通信电源、工业自动化设备电源、大功率LED驱动电源等。需要高效率、高可靠性和良好热管理的场合，此器件表现出色。
3. 太阳能逆变器：
辅助电源、DC-DC升压级。高效率对于MPPT模块至关重要，低损耗特性直接提升系统转换效率。
4. 电动车辆 (EV) 车载充电器 & 直流快充桩：
内部辅助电源、DC-DC模块。在空间狭小且散热挑战大的车载环境或充电桩模块中，CMH65R035SD的高功率密度和优异散热能力优势尽显。
5. 电机驱动 (辅助电源/控制部分)：
变频器、伺服驱动器中的辅助开关电源。
三、设计指南
1. 散热设计优先：充分利用TO-247封装底部的Drain Pad。设计PCB时：
使用大面积、厚实的铜层作为散热区域。
确保散热焊盘与PCB之间焊接饱满无空洞（推荐使用回流焊工艺,控制好热风温度曲线）。
考虑在散热区域添加散热过孔到内层或底层铜平面以增强散热。
必要时可配合导热垫片连接至系统外壳散热。
2. 优化驱动与布局：
提供足够强大且低阻抗的驱动电路，以充分发挥其快速开关能力。
最小化功率回路面积和栅极驱动回路面积，降低寄生电感，抑制电压尖峰和振荡，将会更好的通过EMI检测。
3. 源极开尔文连接：如果设计允许且对开关性能要求极高，可考虑增加TO-247封装第4脚 (Source Kelvin) 单独连接驱动回路，进一步减小源极寄生电感影响。
4. 电压裕量：虽然额定650V，但在有电压尖峰风险的应用（如PFC）中，确保留有足够的电压裕量（通常建议工作V(DC)不超过~450-500V，具体视设计而定）。
四、价值体现
为何选择 CMH65R035SD？
1. 效率冠军：场效应半导体的选进技术带来了超低Rds(on) 和Qg，直接转化为系统级的效率提升和能源节约。
2. 散热专家：优异的封装热性能简化热管理设计，提升系统运行稳定性。
3. 性能与可靠性的平衡：工业级品质保障，满足严苛应用需求。
4. CMH65R035SD不仅仅是一个MOSFET，它是您实现下一代高效率、超高功率密度电源解决方案的关键赋能者。选择它，就是选择站在电力电子创新的前沿。
立即探索 CMH65R035SD，为您的设计注入高效与紧凑的澎湃动力！
温馨提示：
在实际设计前，请务必查阅场效应半导体官方提供的最新版数据手册 (Datasheet)和应用笔记，获取详细的电气特性、封装尺寸、热阻参数、开关波形、驱动建议和布局指南等关键信息。
联系场效应半导体技术支持或授权分销商，获取针对您具体应用的深入支持。
获取样品 | 技术咨询 | 设计支持
访问官网：www.cmosfet.com
联系销售：sales@cmosfet.com
——场效应科技让效率与可靠性，成为您产品的核心竞争力！
