文档帮助中心
高电流MOS：CMD019N04L
CMD019N04L是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺和技术，具有卓越的RDS（ON）性能。是专为高电流开关应用而设计的N通道MOS场效应晶体管。该器件非常适用于直流电机驱动器、同步整流的DC/DC及AC/DC转换器，开关切换类应用等。是一款高效、可靠的优秀MOS管。
卓越的电气特性
CMD019N04L的主要电气特性包括：
耐压能力：CMD019N04L的耐压（BVDSS）为40V。
电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）是150A。
雪崩能量：CMD019N04L采用Cmos先进的技术和设计，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为900mJ。
低热阻：CMD019N04L采用TO-252封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.83℃/W。
低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMD019N04L的导通电阻（RDS(on)）最大只有1.9mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，能提高整体电路的能效，在产品应用中更高效。
低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。
适用范围广泛
CMD019N04L 由于其优异的特性，适用于多种应用电路，包括不限于直流电机驱动器、同步整流的DC/DC及AC/DC转换器，开关切换类应用等。
