CMD180P04 —— 极致能效，掌控大电流
CMD180P04 MOSFET是场效应半导体公司开发的一款效率极高的P沟道场效应晶体管，其采用优化的沟槽式芯片电路设计思路，巧妙地处理了半导体材料物理结构的限制，极大地提高了P型半导体能效转化效率，有力地缩小了P沟道场效应晶体管在现代电子电路中使用的局限性。
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一、 封装形式
下图为CMD180P04 MOSFET的封装形式和内部拓扑图，采用TO-252/TO-251两种常规封装，极大地方便了用户物料的选配性。
二、基础参数
耐压等级：VDS=-40V
持续漏极电流：-100A
饱和导通内阻：5毫欧
单次抗冲击雪崩能力：1058毫焦耳
三、核心优势
CMD180P04 赋能高功率密度设计
核心优势
A. -100A 持续电流：轻松驾驭高功率负载，保障系统稳定运行。
B. 5mΩ 超低导通电阻：大幅降低导通损耗，效率提升高达 98%+。
C. -40V 耐压设计：为 12V/24V 系统提供安全裕度。
D. P沟道优化：简化高边驱动电路，降低BOM成本。
E. 抗雪崩冲击性：先进的沟槽设计思路，极大地提高了DS功率回路dv/dt电压变化率。
四、应用领域
推荐应用场景
1. 新能源动力系统
电动叉车/AGV 电池管理系统（BMS）主放电开关
轻型电动车电机控制器（Electric Bicycle）
48V混动汽车启停电源can控制
2. 工业电源拓扑
同步整流DC-DC模块（24V→12V/5V Buck大电流转换）
UPS/EPS 系统电池反向保护电路
热插拔(Hot Swap)控制浪涌抑制
3. 自动化设备
工业机器人关节驱动器制动电路
电磁阀/大功率继电器智能驱动单元
光伏逆变器防反灌保护开关
五、设计建议
应用价值
1. 温升更低：5mΩ内阻显著降低导通损耗，减少热耗散，散热成本下降，且满足日益严格的能效标准（欧盟CoC V5标准和 美国DoE VI标准）。
2. 节省PCB空间：支持高电流密度布局，替代并联方案。
3. 驱动简易化：P沟道特性消除自举电路需求，加速产品开发周期。
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（注：实际应用中请以场效应半导体官方数据手册为准，结合具体工况验证设计。）
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