CMD65R360D MOSFET
——赋能高效电能转换，重塑功率密度极限
一、封装形式
下图是CMD65R360D的封装形式与芯片内部拓扑图，我们提供TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263六种常规封装新式，极大地丰富了客户电路设计时的选择性，如有特殊需求，也可提供定制化封装。
二、基础参数
耐压等级：VDS=650V
持续漏电流能力：ID=11A,@Tc=25℃
漏源阻值：0.36Ω，Max@VGS=10V
三、核心优势
1、超结工艺（Super Junction）：
突破传统硅限，实现超低导通损耗（Rds(on)=360mΩ）与开关损耗平衡
650V击穿电压，轻松应对380V三相电整流后高压场景
2、极优动态特性：
低Qg（栅极电荷）& Qrr（反向恢复电荷），提升开关频率至100kHz+
硬开关拓扑下EMI噪声显著降低
3、优秀的抗浪涌/抗ESD特性：栅极与源极之间集成齐纳二极管，具有优秀的防静电能力与抗浪涌特性，在户外以及复杂电子环境中应用非常有优势。
4、可靠性强化：
优化寄生电容（Coss/ Crss），抑制dv/dt引发的误触发风险。
四、应用领域
黄金应用场景推荐
1. 高频开关电源（SMPS）
适用拓扑：LLC谐振、反激式开关、PFC。
价值点：
适配200-500W高效电源模块（如服务器电源/通信电源）。
提升全负载区间效率，满足“80 PLUS”、“能源之星”高能效标准。
2. 绿色能源系统
光伏优化器/微型逆变器：
支持光伏MPPT算法高频功率追踪，具有很高的转换效率。
储能系统（ESS）双向DC-DC模块：
低导通损耗减少电池充放电循环能量损耗
3. 快充与消费电子
PD3.1 140W适配器：
支持主流PD方案中的升压模块应用,如，SC9712。
五、设计建议
1．驱动优化：
推荐驱动电压Vgs=12V±25%，避免米勒平台振荡
栅极串联电阻≥10Ω抑制振铃（可并联TVS以作防浪涌保护）
2．散热策略：
搭配高热导率绝缘垫片（≥3W/mK）。
单面PCBA贴片封装设计建议预留较大的铜箔散热区;
插件类封装建议背靠散热片，选用M3螺丝，螺丝紧固力矩在0.5~0.6牛.米。
六、立即选用CMD65R360D
立即升级您的能效方案。
场效应半导体品质保证：源自专业团队的长期深耕，提供卓越的稳定性和供货保障。
选择场效应半导体CMD65R360D MOSFET，您将获得提升系统效率、缩小产品体积、增强可靠性的关键利器。无论是追求极致效率的服务器电源，还是要求严苛的工业设备或新能源应用，CMD65R360D 都是值得信赖的解决方案。
立即联系您的场效应半导体授权分销商，或访问场效应半导体官网，获取 CMD65R360D的详细规格书及相关服务！
官方网站：WWW.CMOSFET.COM
（注：实际应用中请以场效应半导体官方数据手册为准，结合具体工况验证设计。）
让效率与可靠性，成为您产品的核心竞争力！
