CMP006N12：优秀电机驱动MOS

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CMP006N12是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术和设计，具有优秀的RDS（ON）和低栅极电荷QG。它可以用于多种电路应用中，如同步整流、逆变器、电机驱动等。

CMP006N12的主要电气特性包括： 

耐压：CMP006N12的耐压（BVDSS）为120V。

电流：在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）高达120A，瞬间冲击电流IDM更是高达360A，这使得CMP006N12在高功率大电流应用中表现出色。

雪崩能量：CMP006N12采用先进的沟槽技术，单次雪崩能量EAS为480mJ，使其有很强的抗冲击能力，能承受高能量脉冲，提升了其耐用性和可靠性。

低热阻：CMP006N12采用TO-220封装，具有优秀的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）低至0.5℃/W。工作时能够有效地将热量散发出去，提高了系统的稳定性和可靠性。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMP006N12的导通电阻（RDS(on)）最大只有5.8mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了整体电路的能效。

低开关损耗：低QG、结电容，使其具有优越的开关性能，和低开关损耗。

CMP006N12 由于拥有大电流、高EAS、低热阻、低导通电阻等优异的特性，适用于多种电路应用，如同步整流、逆变器、电机驱动等。

CMP006N12采用的TO-220封装，其优秀的电气特性，使其能够在各种高应力环境下稳定工作。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些特性集成到CMP006N12中，使其在各种电源电路应用中表现出色。