CMP110N06L：筑MOS发展，造行业典范
半导体行业的发展始终与人类需求息息相关。在现代电子市场中，高效率、低损耗的电子元器件需求不断增加，为提高能源利用率和实现绿色发展大计，半导体行业势必会朝着“低压电、大电流”方向发展。
“大电流”的概念并不是绝对的，在不同的应用领域，其外延和内涵不尽相同。在电源领域，如低压开关电源、小功率逆变器应用；在小型电机驱动领域，如新型电动汽车电机驱动、传统汽车启动系统核心部件都是由蓄电池提供低压大电流；在LED灯控制方面，同样有出色的表现，多路并联完成大功率输出。随着绿色能源和智能设备的普及，在这些应用电子电路中选择一款合适的MOSFET器件变得尤为重要。
CMP110N06L MOSFET是广东场效应半导体有限公司（下文称Cmos）在此背景下推出的一款具有较高性价比的产品。该产品已在LED灯控，逆变产品，UPS电源，驱动控制类等方面得到广泛应用，依靠其卓越的电气特性，得到广大消费者的认可。
封装形式
CMP110N06L MOSFET封装形式及内部拓扑结构：
Cmos考虑到用户使用场景的需要，CMP110N06L MOSFET提供TO-220和TO-263两种不同的封装形式可供用户选择，以便更好匹配用户的网络环境。
卓越的电气特性
漏源电压：
漏源极电压是指DS之间所能施加的最大电压。CMP110N06L MOSFET工作时漏极和源极之间最大电压VDS=60V，作为工程师都晓得60V电压是低压领域的黄金段位，涉及很多产品，如大部分电机应用，灯控应用，充放电设备等很多产品都可以使用。
漏源电流：
漏源电流是指MOS管工作时的漏极和源极之间可持续流过的最大电流。CMP110N06LMOSFET，在TC=25℃条件下，DS之间的电流为110A，这使得该型号可满足绝大多数大电流应用场景，尤其应用在在感性负载端效果会更好。
阈值电压：
VGS是MOS管栅/源极的开启电压。CMP110N06L的开启电压VGS=2.2V,这个电压相对较低，使该MOS管在应用场景中的驱动方案变的尤为简单，使PCB空间占比相对更小，更容易将控制电路集成小型化。
优秀的散热能力
CMP110N06L 采用的TO-220和263封装形式背部均有较大散热片，其中，结壳热阻值RθJC只有0.96℃/W，使CMP110N06L在较高频率条件下能够更好地散热，有效降低MOS管温升的同时，保障了其运行的稳定性。
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