逆变器优秀MOS：CMH90N30

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CMH90N30采用Cmos先进的平面条纹DMOS技术和设计，提供优秀的RDS（ON）。非常适合于高效的切换模式电源和主动功率因数校正。可用于SMPS POWER电源、UPS电源、DC-AC逆变电源，具有低RDS（ON），大电流能力，还有优秀的散热能力。

CMH90N30的主要电气特性包括： 

耐压与电流能力：CMH90N30的耐压（BVDSS）为300V，在25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）可达90A。

抗冲击能力强：CMH90N30采用Cmos先进的平面条纹DMOS技术和设计，单次雪崩能量为2995mJ，使其有很强的抗冲击能力，能承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

散热好：CMH90N30采用TO-247封装，具有很好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.29℃/W，有很好的散热能力，能有效、快速将热量散发出去。 

导通损耗小：在栅极电压（VGS）为10V时，CMH90N30的导通电阻（RDS(on)）最大为46mΩ。低导通电阻降低了导通状态下的损耗，提高了电路的能效，使得在逆变器等电路使用中效率更高。

优越的开关性能：较小的QG、结电容，使其具有优越的开关性能。

CMH90N30 MOS管由于其优异的特性，适用于多种应用场景，特别是在逆变器电路中。

在逆变器应用中，MOS管的高EAS、低热阻、低导通电阻直接影响抗冲击能力、可靠性、能效，低QG、低结电容，有较好的开关特性及低开关损耗。CMH90N30表现出色，能够很好地满足电路需求。