Cmos多款完美适配电动车防盗器的MOSFET
2020年9月，我国明确提出“双碳”标准，即在2030年达到“碳达峰”和在2060年达到“碳中核”的绿色发展的中长期目标。
绿色、低碳出行是减少碳排放的主要方式之一。为响应国家“双碳”战略目标，Cmos公司立足当下，持续在电动车领域发力，爆发式推产出CMD5950A/CMU5950A、CMD5952A/CMU5952A、CMP5970为代表的不同封装、不同耐压的MOSFET半导体器件，客户可以根据自己的网络使用环境匹配选择合适的半导体控制器件，从而满足不同需求。为客户提供安全，优质的控制半导体器件。
选择MOS需要考虑以下几个关键特点和要求：
电压额定值(VDS)：确保MOSFET的漏源电压高于电路中的最大工作电压。
电流额定值(ID)：根据应用中的最大负载电流选择适当的额定电流，确保在最大负载下安全运行。
导通电阻(Rds(on))：选择导通电阻低的MOSFET，以减少导通损耗，提高效率。例如，Cmos的CMD5950A在VGS=-6V,ID=-8A时的导通内阻不超过55mΩ。例举Cmos的CMD5950A是一款-100V的P型沟道场效应MOSFET进行介绍，其主要性能参数如下：
漏源电压 (VDS)：-100V
连续漏极电流 (ID)：常温下可达-33A
封装类型：TO-251/TO-252，具有低热阻，良好的散热特性
阈值电压 (VGS(th))：典型值均不大于-4V
导通电阻 (RDS(ON))：在VGS=-10V，ID=-10A的条件下不超过52mΩ
CMD5950A客户在-96V的电动车防盗器应用中表现出色，表现出卓越抗冲击能力，在较低输入功率情况下，保持大功率输出，而且保障了设备在户外复杂的环境中安全、稳定、高效的运行。
客户运用Cmos产品开发出的电动车防盗器，性能稳定，实现量产。
优秀的电阻特性
注意：由CMD5950A的Vgs-Rds变化测试图发现，在Vgs=10V时，MOSFET处于导通内阻最理想状态。
Cmos一直以做高品质MOSFET为企业经营理念。多年来，我们也是这样在践行，很多产品赢得了市场认可。
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