随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段,对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物,以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等,都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看,锑化物属于窄带半导体,而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料,将一路向宽,还是一路向窄?
新浪科技讯据报道,韩国三星电子是全世界最大的存储芯片制造商,日前,三星电子研发团队和美国哈佛大学共同发表了一篇研究论文,他们提出了一种新方法,准备在一个存储芯片上“反向工程”(复制)人类的大脑。
从智能手机、电视到风力涡轮机,硅芯片的需求正在蓬勃发展,但它也付出了巨大的代价:巨大的碳足迹。该行业呈现出一个悖论。实现全球气候目标在某种程度上要依靠半导体。它们是电动汽车、太阳能电池阵列和风力涡轮机的组成部分。
外媒报导,下世代半导体先进制程技术,研究人员已在开发称为“CasFET”的制程技术,除了更低开关电压、更低功耗和更高密度设计,新型芯片在晶体管应用难题获得更好解决法,开发性能更优异的芯片产品。
美国麻省理工学院的工程师利用嵌入植物叶子中的特殊纳米颗粒,创造出一种可由LED充电的新型发光植物。