CMF85R290R是采用Cmos先进超级结技术的功率MOSFET，实现非常低的导通电阻和栅极电荷，通过使用优化的电荷耦合技术，提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的专有平面条形DMOS技术，改进了dv/dt能力，非常适合用于高效开关电源。
CMF10N80是一款综合性能优秀的N沟道高压功率MOSFET，采用Cmos先进的平面工艺制造，其核心优势是抗冲击性高、高频特性好、不可控造因素成的特性离散性小等优势，适用于开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变储能及工业电磁阀小信号类应用等场景。
CMD60R180S6ZD是采用Cmos先进的超级结工艺开发的一款N沟道功率场效应管（MOSFET），其特点具有高频特性好，反向快恢复时间短，并且具有HBM>2kV的静电或浪涌防护能力等。
CMSA070N10是一款高性能N沟道功率场效应管（MOSFET），采用Cmos先进的SGT工艺制成，具有高频特性好，转换效率高的特点。
