CMSA035N06L是一款60V SGT(Split Gate Trench)工艺 N沟槽场效应管，其漏源导通电阻RDS(ON)最大仅有3.3MΩ，其中关键性能指标／品质因数（FOM）的优化降低使其自身能量传送效率大幅提高。
CMP50N20是一款200V平面工艺N沟槽场效应管，这种工艺典型特点是抗冲击能力强和参数一致性表现好。
CMSA030N04是Cmos有一款采用PDFN封装的 N沟道的MOSFET。为了拓展客户实际应用电路物料的兼容性，PDFN封装可以和SOP-8封装互相替代
CMSA120P03AMOSFET属于PDFN封装，为了拓展客户实际应用电路物料的兼容性，PDFN封装可以和SOP-8封装互相替代。
CMD4932是广东场效应有限公司推出的一款低压P沟道沟槽型功率场效应管。CMD4932具有卓越的稳定性，已在无刷电机、LED灯控、汽车电子等行业得到广泛应用。
