CMD5941采用Cmos先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）与低门电荷，具有低导通损耗和低开关损耗，它可以高效用于多种应用电路中，包括不限于DC-DC直流变换器、逆变器、电机驱动等。
CMD65R380Q功率MOSFET，使用Cmos先进的超结技术，提供优秀的RDS(ON)和极低门电荷。
CMP107N20是采用Cmos栅极多级分割优化沟槽工艺研发的N沟道金属氧化物半导体场效应管，设计理念追求高能效、绿色和可持续发展。
CMD031N03L是采用Cmos自己优化的栅极被分割改进型沟槽工艺制造的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
CMD170P03A是Cmos通过控制载流子沟道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用沟槽工艺制造而成的一款金属氧化物半导体场效应晶体管。
