900V高压MOS：CMH12N90

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CMH12N90功率MOSFET，采用Cmos的专有平面条形DMOS技术，改进了dv/dt能力，非常适合用于高效开关电源。提供优秀的RDS(ON)和低门电荷。非常适合UPS电源、及各类开关切换模式电源。

CMH12N90的主要电气特性包括： 

高耐压能力：CMH12N90的耐压（BVDSS）为900V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）为12A。

雪崩能量：CMH12N90采用Cmos专有的平面条形DMOS技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为722mJ。

低EMI：CMH12N90采用Cmos专有的平面条形DMOS技术，改进了dv/dt能力，应用时具有低EMI的特点。

低热阻：CMH12N90采用TO-247封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为0.45℃/W，有很好的散热能力。 

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMH12N90的导通电阻（RDS(on)）最大为1.1Ω。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，提高电路的能效，使得在开关电源电路应用中效率更高。

低开关损耗：低QG、较小的CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。

CMH12N90 由于其优异的特性，适用于多种高效开关切换电源。MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMH12N90中，使其在电路应用中表现出色，在各种高效开关切换类电源应用中，是表现优秀的MOS。