850V超结MOS：CMF85R290R

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CMF85R290R是采用Cmos先进超级结技术的功率MOSFET，实现非常低的导通电阻和栅极电荷，通过使用优化的电荷耦合技术，提供更高的效率。这些友好的器件设计提供了低EMI和低开关损耗的优势。非常适合充电器、适配器及各类开关切换模式电源。

CMF85R290R的主要电气特性包括： 

高耐压能力：CMF85R290R的耐压（BVDSS）为850V。

电流能力：在Tc=25℃条件下，其最大连续漏极电流（ID）为19A。

雪崩能量：CMF85R290R采用Cmos先进超级结技术，100%雪崩能量测试，单次雪崩能量EAS为29.4mJ。

低EMI：CMF85R290R采用先进超级结技术，应用时具有低EMI的特点。

低热阻：CMF85R290R采用TO-220F封装，具有良好的热管理性能，其结到壳的热阻（RθJC）为2.9℃/W，有良好的散热能力。

低导通电阻：在栅极电压（VGS）为10V时，CMF85R290R的导通电阻（RDS(on)）最大为0.26Ω。低导通电阻能降低导通状态下的损耗，提高电路的能效，使得在开关电源电路应用中效率更高。

低开关损耗：低QG、较小的CISS，使其具有优越的开关性能，较小的开关损耗。

CMF85R290R 由于其优异的特性，适用于多种应用电路，包括不限于充电器、适配器及各类开关切换模式电源。MOS管的低热阻、低导通电阻直接决定管子工作时的低温升、高可靠性、高能效；低QG、低结电容，使管子有较好的开关特性及低开关损耗。通过优化半导体材料和制造工艺，Cmos成功地将这些优秀特性集成到CMF85R290R中，使其在电路应用中表现出色。