CMS4013是P沟道增强型功率场效应晶体管，采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）。
CMSA180P03是P沟道增强型功率场效应晶体管，采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS（ON）。
CMB044N10BMOS管是一款采用栅极分割改进型沟槽工艺设计的大功率FET，属于低电压大电流MOS，具有卓越的性能和广阔的应用市场。
CMD060N10是采用广东场效应半导体有限公司（Cmos）先进的SGT工艺技术和设计，提供优秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常适合用于DC-DC电源、电源切换应用，开关控制，电机控制、LED控制等多种应用。
CMD840 MOS是一款采用平面工艺设计的高压小电流FET，作为电子工程师我们都知道，平面工艺FET很多电性特征参数都与内部晶片大小息息相关。
